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一种离子束溅射技术制备高结晶性ge/si多层膜的方法与

Pa,在800 ~900 ,放电电压为0.5 ~1.1 KV,加速电压为100 ~200 V,生长束流8 ~12 mA,灯丝电流5 ~10 A,溅射速率为0.12 ~0.25 /s的条件下溅射生长80 ~150 nm的Si缓冲层。 (3)Ge/Si多层膜的生长:保?#21046;?#20182;生长条件不变,调节生长束流为4 ~10 mA,通过反复转动四工位转靶上Ge靶材、Si靶材的位置,在Si缓冲层上交替溅射沉积Ge、Si子层薄膜:Ge层的溅射速率为0.
 
Pa,在800 ~900 ,放电电压为0.5 ~1.1 KV,加速电压为100 ~200 V,生长束流8 ~12 mA,灯丝电流5 ~10 A,溅射速率为0.12 ~0.25 /s的条件下溅射生长80 ~150 nm的Si缓冲层。 (3)Ge/Si多层膜的生长:保?#21046;?#20182;生长条件不变,调节生长束流为4 ~10 mA,通过反复转动四工位转靶上Ge靶材、Si靶材的位置,在Si缓冲层上交替溅射沉积Ge、Si子层薄膜:Ge层的溅射速率为0. | 宽1000x766高 | 显示比例:96% | 查看原图 | 图片来源:www.xjishu.com
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